申請/專利權人：深圳平創半導體有限公司;重慶平創半導體研究院有限責任公司

申請日：2023-08-21

公開（公告）日：2023-09-15

公開（公告）號：CN116759424A

主分類號：H01L27/08

分類號：H01L27/08;H01L21/329;H01L29/861;H01L29/872;H01L21/82

優先權：

專利狀態碼：在審-公開

法律狀態：2023.09.15#公開

摘要：本發明屬于半導體技術領域，具體涉及一種自對準溝槽型碳化硅混合二極管結構及其制備方法。本發明公開的半導體結構包括：N+碳化硅襯底；N?緩沖層，設置于所述N+碳化硅襯底上方；N?漂移層，設置于所述N?緩沖層上方；所述N?漂移層中刻蝕形成有多個溝槽，多個所述溝槽間互不連通且均沿垂直方向設置；氧化層，設置于所述溝槽內側表面；填充層，設置于所述氧化層內，所述填充層的頂部與所述N?漂移層的上表面重合以及第一P型阻擋區等，本發明的半導體結構兼具低導通壓降以及低漏電流的特性，基于自對準工藝，本發明可在不額外增加掩膜層的基礎上，實現多級溝槽型碳化硅混合二極管器件結構，達到優化正向導通特性以及反向漏電流的性能。

主權項：1.一種自對準溝槽型碳化硅混合二極管結構，其特征在于，包括：N+碳化硅襯底；N-緩沖層，設置于所述N+碳化硅襯底上方；N-漂移層，設置于所述N-緩沖層上方；所述N-漂移層中刻蝕形成有多個溝槽，多個所述溝槽間互不連通且均沿垂直方向設置；氧化層，設置于所述溝槽內側表面；填充層，設置于所述氧化層內，所述填充層的頂部與所述N-漂移層的上表面重合；第一P型阻擋區，所述第一P型阻擋區的上表面和所述溝槽的底面重合；N型注入區，設置于所述溝槽的側壁且上表面和N-漂移層的上表面重合；P型基區，設置于所述N型注入區的底面和側壁；第一歐姆接觸層，設置于P型基區、N型注入區以及溝槽的上表面；肖特基接觸層，設置于所述N-漂移層和所述第一歐姆接觸層上表面；陽極金屬層，設置于所述肖特基接觸層上表面；第二歐姆接觸層，設置于所述N+碳化硅襯底的下表面；陰極金屬層，設置于所述第二歐姆接觸層的下表面。

全文數據：

權利要求：

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