申請/專利權人：中國科學院半導體研究所

申請日：2023-06-07

公開（公告）日：2023-09-08

公開（公告）號：CN116719124A

主分類號：G02B6/13

分類號：G02B6/13;G02B6/12;C23C14/35

優先權：

專利狀態碼：在審-公開

法律狀態：2023.09.08#公開

摘要：本發明提供一種光器件制備方法及光互連封裝方法，可以應用于集成光電子領域。該光器件制備方法，包括：在基板上預設濺射區域；其中，基板上預設有多個芯片，濺射區域設置于兩芯片之間；根據預設的芯片的屬性確定待制備光器件的參數；通過電磁場控制濺射粒子，使濺射粒子沉積在基板上的濺射區域，得到第一光器件；對第一光器件表面進行退火處理，得到制備完成的光器件。

主權項：1.一種光器件制備方法，其特征在于，包括：在基板上預設濺射區域；其中，所述基板上預設有多個芯片，濺射區域設置于兩芯片之間；根據預設的芯片的屬性確定待制備光器件的參數；通過電磁場控制濺射粒子，使濺射粒子沉積在基板上的濺射區域，得到第一光器件；對第一光器件表面進行退火處理，得到制備完成的光器件。

全文數據：

權利要求：

百度查詢： 中國科學院半導體研究所 光器件制備方法及光互連封裝方法

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