申請/專利權人：合肥新晶集成電路有限公司

申請日：2022-08-08

公開（公告）日：2023-03-17

公開（公告）號：CN114999907B

主分類號：H01L21/28

分類號：H01L21/28;H01L21/336

優先權：

專利狀態碼：有效-授權

法律狀態：2023.03.17#授權;2022.09.20#實質審查的生效;2022.09.02#公開

摘要：本發明提供了一種柵極氧化層的制作方法及場效應晶體管的制作方法。該柵極氧化層的制作方法包括以下步驟：在襯底上順序形成第一柵極氧化層和第二柵極氧化層，其中，第二柵極氧化層位于第一柵極氧化層靠近襯底的一側，或第二柵極氧化層位于第一柵極氧化層遠離襯底的一側。通過在襯底上形成兩層柵極氧化層，同時解決了氧化層厚度不夠的問題以及由于氧化層厚度不均導致晶體管容易漏電或擊穿的問題，從而有效改善了器件的可靠性和匹配性。

主權項：1.一種柵極氧化層的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：在襯底上順序形成第一柵極氧化層和第二柵極氧化層，其中，所述第二柵極氧化層位于所述第一柵極氧化層靠近所述襯底的一側，形成所述第二柵極氧化層的步驟包括：采用熱氧化工藝使氧氣通過所述第一柵極氧化層擴散至所述襯底表面，以形成所述第二柵極氧化層，所述熱氧化工藝采用干氧氧化工藝，在氧氣環境中、在750℃～1100℃下、在常壓下進行，所述干氧氧化工藝的反應方程式包括：O2+Si→SiO2，以使通入的氧氣與所述襯底中的多晶硅表面的硅原子反應生成二氧化硅，形成所述第二柵極氧化層，采用原位水汽生成工藝在所述襯底上形成所述第一柵極氧化層，所述原位水汽生成工藝的溫度為600℃～1050℃，所述原位水汽生成工藝的反應氣體包括氧氣和氫氣，所述氧氣和所述氫氣的流量比為4.97：0.03；采用原位水汽生成工藝和熱氧化工藝的組合工藝形成的柵極氧化層，在有源區拐角處的厚度與氧化層中心位置的厚度相差值較小，從而減小了有源區拐角處的氧化層厚度與中心位置處的氧化層厚度的消減量，有效改善了器件的匹配性。

全文數據：

權利要求：

百度查詢： 合肥新晶集成電路有限公司 柵極氧化層的制作方法及場效應晶體管的制作方法

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