申請/專利權人：深圳市威兆半導體股份有限公司

申請日：2022-12-21

公開（公告）日：2023-03-17

公開（公告）號：CN115810673A

主分類號：H01L29/861

分類號：H01L29/861;H01L29/06

優先權：

專利狀態碼：在審-公開

法律狀態：2023.03.17#公開

摘要：本申請公開一種二極管器件，包括陰極、漂移層、P型摻雜部、多晶硅部、第一N型摻雜部、第二N型摻雜部以及陽極，漂移層設置于陰極上，P型摻雜部設置于漂移層遠離陰極的一側，P型摻雜部具有至少兩個間隔設置的溝槽，溝槽還延伸入部分漂移層中，多晶硅部填充于溝槽中，第一N型摻雜部和第二N型摻雜部設置于P型摻雜部中且位于每兩相鄰的溝槽之間，第一N型摻雜部與第二N型摻雜部接觸，陽極設置于P型摻雜部遠離陰極的一側。在本申請中，通過在P型摻雜部中設置有第一N型摻雜部和第二N型摻雜部，以中和掉部分P型摻雜部的摻雜濃度，從而降低正向導通時空穴的注入效率。

主權項：1.一種二極管器件，其特征在于，包括：陰極；漂移層，設置于所述陰極上；P型摻雜部，設置于所述漂移層遠離所述陰極的一側，所述P型摻雜部具有至少兩個間隔設置的溝槽，所述溝槽還延伸入部分所述漂移層中；多晶硅部，所述多晶硅部填充于所述溝槽中；第一N型摻雜部和第二N型摻雜部，設置于所述P型摻雜部中，且位于每兩相鄰的所述溝槽之間，所述第一N型摻雜部與所述第二N型摻雜部接觸；以及陽極，設置于所述P型摻雜部遠離所述陰極的一側。

全文數據：

權利要求：

百度查詢： 深圳市威兆半導體股份有限公司 二極管器件

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