申請/專利權人：上海華虹宏力半導體制造有限公司

申請日：2022-11-29

公開（公告）日：2023-03-17

公開（公告）號：CN115810545A

主分類號：H01L21/336

分類號：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10

優先權：

專利狀態碼：在審-公開

法律狀態：2023.03.17#公開

摘要：一種超級結器件結構及其形成方法，其中形成方法包括：提供襯底；在襯底上形成第一外延層和主動電場介入層，第一外延層內具有第一離子，主動電場介入層內具有第二離子，第一離子的導電類型和第二離子的導電類型相同，第二離子的摻雜濃度小于第一離子的摻雜濃度；在第一外延層和主動電場介入層內形成若干超級結溝槽；在超級結溝槽內形成第二外延層，第二外延層內具有第三離子，第三離子的導電類型與第一離子的導電類型不同。通過在第一外延層內形成主動電場介入層，利用主動電場介入層將電場高峰引入體內，減少電場高峰對第一外延層上的器件結構造成影響，有效提升器件穩定性、反向擊穿BV及EAS能力，進而提升器件結構的性能。

主權項：1.一種超級結器件結構的形成方法，其特征在于，包括：提供襯底；在所述襯底上形成第一外延層和至少一層主動電場介入層，所述主動電場介入層位于所述第一外延層內，所述第一外延層內具有第一離子，所述主動電場介入層內具有第二離子，所述第一離子的導電類型和所述第二離子的導電類型相同，且所述第二離子的摻雜濃度小于所述第一離子的摻雜濃度；在所述第一外延層和所述主動電場介入層內形成若干相互分立的超級結溝槽；在所述超級結溝槽內形成第二外延層，所述第二外延層內具有第三離子，所述第三離子的導電類型與所述第一離子的導電類型不同。

全文數據：

權利要求：

百度查詢： 上海華虹宏力半導體制造有限公司 超級結器件結構及其形成方法

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