申請/專利權人：清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司

申請日：2021-09-02

公開（公告）日：2023-03-17

公開（公告）號：CN115810668A

主分類號：H01L29/786

分類號：H01L29/786;H03H11/12

優先權：

專利狀態碼：在審-公開

法律狀態：2023.03.17#公開

摘要：本發明涉及一種薄膜晶體管，其包括：一柵極；一柵極絕緣層，所述柵極絕緣層設置于所述柵極的表面；一碳納米管結構，所述碳納米管結構設置于所述柵極絕緣層遠離所述柵極的表面；及一源極、一漏極，所述源極、漏極間隔設置，并分別與所述碳納米管結構電連接；其中，進一步包括一界面電荷層，所述界面電荷層設置于所述碳納米管結構和所述柵極絕緣層之間。本發明還涉及一種采用該薄膜晶體管制備的濾波器。

主權項：1.一種薄膜晶體管，其包括：一柵極；一柵極絕緣層，所述柵極絕緣層設置于所述柵極的表面；一碳納米管結構，所述碳納米管結構設置于所述柵極絕緣層遠離所述柵極的表面；及一源極、一漏極，所述源極、漏極間隔設置，并分別與所述碳納米管結構電連接；其特征在于，進一步包括一界面電荷層，所述界面電荷層設置于所述碳納米管結構和所述柵極絕緣層之間。

全文數據：

權利要求：

百度查詢： 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司 薄膜晶體管及采用薄膜晶體管的濾波器

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